Esta actividad para el fortalecimiento de la investigación y la extensión pretende a traves de pruebas preliminares de laboratorio fabricar y caracterizar una capa delgada de material dieléctrico constituido por dioxido de silicio sobre un substrato de silicio mediante un proceso por plasma. Para ello se utilizarán los equipos del Laboratorio Institucional de Plasmas y sus Aplicaciones del ITCR, así como otros equipos institucionales y de otras universidades. Primero se planteará un diseño experimental que permita caracterizar los parámetros de operación para la fabricación de una capa de dioxido de silicio estable y en forma repetitiva. Posteriormente se medirá el espesor de la capa utilizando la técnica de X ray Diffraction y se caracterizará su topografía utilizando el microscopio electrónico SEM y el microscopio de fuerza atomica AFM. Finalmente se obtendrán las propiedades eléctricas de la capa delgada.